是III族氮和V族鎵的化合物，不僅是一種直接能隙的半導體材料，p-n二極體自1990年起即成為廣泛被使用的固態光源，且其寬能隙、高載子密度、遷移率及速度等特性，使其成為下一代的功率元件及微波通訊元件的主要候選人。
相對於矽基功率元件性能已成熟化而走到極限，氮化鎵功率元件憑藉著高崩潰電場、低導通阻值、高轉換效率、高操作頻率、高功率密度及高溫穩定的性能等，搭配氮化鎵磊晶成長於大尺寸矽基板技術的發展，進一步降低晶片成本，使得系統端不僅性能大幅提升，成本也較矽基產品更低。目前主要的應用為600V、5kW以下消費型的電源供應器、馬達、太陽能、快充、無線充電、光學雷達、音響等。
