IGBT 絕緣柵雙極電晶體, Insulated Gate Bipolar Transistor）是半導體器件的一種，主要用於600V以上的應用: 高功率開關式電源供應器(如變頻式驅動控制器)、電動車、火車、變頻冰箱、鎮流管、電焊機及空調機…等。傳統的BJT雙極性接面型電晶體, bipolar junction transistor）雖有高的輸出電流，但驅動的功率損耗卻極大且切換速度也不佳；而MOSFET擁有低功率損耗及快切換速度，但輸出電流卻較低。IGBT結合了兩種元件的優點: 高輸出電流、低驅動功率損耗、切換速度(操作頻率)也維持不錯的水準。
